Diodo representaciones:. Modelo de unión PN, símbolo esquemático, parte física El símbolo esquemático del diodo se muestra en de tal manera que el ánodo (extremo apuntando) corresponde a la semiconductor tipo P en (a). La barra de cátodo, extremo no apunta, al (b) corresponde al material de tipo N en (a). Tenga en cuenta también que la banda de cátodo en la parte física (c) corresponde al cátodo en el símbolo. Si se aplica un voltaje de polarización inversa a través de la unión PN, esta región de agotamiento se expande, además resistir cualquier corriente a través de región de agotamiento se expande con polarización inversa. el contrario, si se aplica un voltaje con visión de polarización a través de la unión PN, la región de agotamiento se derrumba cada vez más delgada. El diodo se vuelve menos resistente a la corriente a través de él. Para que una corriente sostenida de ir a través del diodo; sin embargo, la región de agotamiento debe estar completamente contraído por el voltaje aplicado. Esto toma una cierta tensión mínima necesaria para lograr, llamado tensión directa como se ilustra. inceasing adelante sesgo de (a) a (b) disminuye el espesor región de agotamiento. Para diodos de silicio, la tensión típica hacia adelante es de 0,7 voltios, nominal. Para diodos de germanio, la tensión directa está a sólo 0,3 voltios. La circunscripción química de la unión PN comprende las cuentas de diodo para su figura de tensión directa nominal, por lo que los diodos de silicio y germanio tienen tan diferentes tensiones directas. Caída de voltaje directo permanece aproximadamente constante para una amplia gama de corrientes de diodo, lo que significa que la caída de tensión del diodo no es como la de una resistencia o incluso un interruptor normal (cerrada). Para el análisis de circuitos más simplificada, la caída de voltaje a través de un diodo conductor puede considerarse constante en la figura nominal y no relacionado con la cantidad de corriente. En realidad, caída de tensión directa es más
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